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IXTA460P2 IXTP460P2
IXTQ460P2 IXTH460P2
35
30
Fig. 7. Input Admittance
50
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
40
25
T J = 125oC
25oC
20
15
25oC
- 40oC
30
20
125oC
10
10
5
0
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
5
10
15
20
25
30
35
80
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
70
60
50
40
30
T J = 125oC
8
6
4
V DS = 250V
I D = 12A
I G = 10mA
20
10
0
T J = 25oC
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
10,000
1,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
100
10
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1
Coss
100
1ms
0.1
T J = 150oC
T C = 25oC
10
f = 1 MHz
Crss
0.01
Single Pulse
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V DS - Volts
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